半導體器件快速溫變試驗箱

半導體器件快速溫變試驗箱

一、 產(chǎn)品概述
快速溫變試驗箱是專為半導體、集成電路（IC）、芯片等電子元器件進行環(huán)境應力篩選（ESS）和可靠性測試而設計的設備。它通過在短時間內(nèi)實現(xiàn)極快的升溫和降溫速率，模擬溫度變化條件，有效激發(fā)產(chǎn)品潛在缺陷，確保其耐久性與可靠性。

二、 設備亮點

• 溫變速率：高可達25°C/min及以上，大幅縮短測試周期，提高篩選效率。

• 精準溫度控制：采用控制算法，確保箱內(nèi)溫度均勻穩(wěn)定，避免溫度過沖，保障測試樣品安全。

• 可靠的半導體測試專用設計：針對半導體測試中可能產(chǎn)生的靜電進行優(yōu)化，具備防靜電設計，并確保在快速溫變過程中不會對精密器件產(chǎn)生機械應力損傷。

• 人性化智能操作：大型彩色觸摸屏，支持多組程序編輯與鏈接，具備遠程監(jiān)控和數(shù)據(jù)導出功能，操作簡便。

三、 工作原理
設備核心工作原理基于一套復疊式制冷系統(tǒng)（通常用于低溫）和高溫加熱系統(tǒng)。在控制器指令下，通過調(diào)節(jié)制冷劑流量與加熱器功率，結(jié)合高流量氣流循環(huán)系統(tǒng)，將經(jīng)過處理的熱空氣或冷空氣強制吹入測試區(qū)，從而實現(xiàn)測試箱內(nèi)溫度的快速、線性變化。

半導體器件快速溫變試驗箱

四、 技術(shù)參數(shù)

• 溫度范圍：-70°C ~ +150°C（或根據(jù)需求定制）

• 溫變速率：5°C/min ~ 25°C/min（可在指定溫度區(qū)間內(nèi)線性設定，如-40°C ~ +85°C）

• 溫度波動度：≤±0.5°C

• 溫度均勻度：≤±2.0°C

• 內(nèi)箱容積：標準100L~1000L（可定制）

• 控制器：全彩觸摸屏PLC控制器，支持程序編輯和數(shù)據(jù)記錄

• 制冷方式：機械式復疊制冷/液氮輔助制冷（超高速）

• 外殼材料：優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板，表面噴塑處理

五、 主要用途
主要用于對半導體器件進行環(huán)境應力篩選（ESS）、高加速壽命測試（HALT）、高加速應力篩選（HASS） 以及溫度循環(huán)測試（TCT）。其目的是在研發(fā)階段發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品設計缺陷，在生產(chǎn)階段剔除早期故障產(chǎn)品，從而提高產(chǎn)品整體良品率和長期使用可靠性。

六、 應用領域

• 半導體行業(yè)：CPU、GPU、MCU、存儲器芯片（DRAM, NAND Flash）、功率器件（IGBT, MOSFET）等的測試。

• 集成電路設計與封裝：SoC、SiP、封裝芯片。

• 汽車電子：發(fā)動機控制單元（ECU）、自動駕駛傳感器、車載信息娛樂系統(tǒng)等車規(guī)級芯片。

• 航空航天與電子：對可靠性要求航天級、軍規(guī)級半導體元件。

• 通信設備：5G基站芯片、光通信模塊、網(wǎng)絡處理芯片。

七、 滿足標準
該設備嚴格遵循并滿足以下國際、國家及行業(yè)標準：

• MIL-STD-883J（微電子器件試驗方法）

• JESD22-A104G（溫度循環(huán)）

• GJB 548B-2005（微電子器件試驗方法和程序）

• IEC 60068-2-14（環(huán)境試驗 第2-14部分：試驗N：溫度變化）

• GB/T 2423.22（環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗N：溫度變化）

八、 產(chǎn)品優(yōu)勢

1. 高效率和低成本：極快的溫變速率能成倍提高測試效率，加速產(chǎn)品上市周期，并降低單件測試成本。

2. 高可靠性與耐用性：核心部件（如壓縮機、循環(huán)風機）均采用國際品牌，確保設備能夠承受長期、高強度的應力測試運行。

3. 產(chǎn)品質(zhì)量提升：通過嚴苛的篩選，能有效剔除有潛在缺陷的半導體產(chǎn)品，大幅提升出廠產(chǎn)品的質(zhì)量與市場競爭力。

4. 完善的服務支持：提供從方案設計、安裝調(diào)試到技術(shù)培訓、售后維護的全流程服務，為客戶解決后顧之憂。